BSR316P L6327 全国供应商、价格、PDF资料
BSR316P L6327详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59
- 系列：SIPMOS®
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：360mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 欧姆 @ 360mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 170µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：165pF @ 25V
- 功率_最大：500mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：PG-SC-59
- 包装：带卷 (TR)
- 热缩管 TE Connectivity 1206（3216 公制） SCT-NO.2-E5-0-50MM
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 1210 0.68UH 10%
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-243AA TRANS PNP 80V 1000MA SOT89
- 陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 2.2UF 25V 20% X7R 1210
- 其它 3M 1210（3225 公制） CLEAN & FINISH DISC 6X3/8" S FIN
- 电容器 EPCOS Inc 12000UF 16V 25.4X25 SNAP IN
- 陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 0.47UF 25V 20% Y5V 1206
- 信号，高达 2 A TE Connectivity 1206（3216 公制） RELAY GEN PURPOSE 4PDT 2A 15V
- 端子 - 快速连接，快速断连 TE Connectivity 1206（3216 公制） CONN RECEPT FAST 14-18AWG.187 BR
- 其它 3M HI STRNGTH DISC 10X1-1/4" A VFN
- 陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 2.2UF 50V 20% X7R 1210
- 电容器 EPCOS Inc 22000UF 16V 25.4X40 SNAP IN
- 陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 0.47UF 50V 20% X7R 1206
- 端子 - 快速连接，快速断连 TE Connectivity 1206（3216 公制） CONN RECEPT FAST 14-18AWG.187 BR
- 信号，高达 2 A TE Connectivity 1206（3216 公制） RELAY GEN PURPOSE 4PDT 200MA 20V
19166203057 
0755-84507209 
0755-82542579 
0755-82533534 
010-62962871、 
18913062888 
0755-83242658 
0755-82710336 
0755-82533156 
0755-88291559 
13711580601 
0755-83268779 
0755-82574045 
0755-83015506 
